ПН-ПТ: 09:00-18:00
СБ: 10:00-15:00
ВС: Выходной

В корзине пусто!

Транзисторы

Показывать:
Сортировать:
0
Характеристики: Материал p-n-перехода: Si Структура транзистора: NPN Предельная постоянная рассеивае..
На складе
5.00 р.
0
Характеристики: Материал p-n-перехода: Si Структура транзистора: NPN Предельная постоянная рассеивае..
На складе
5.00 р.
0
Характеристики: Материал p-n-перехода: Si Структура транзистора: NPN Предельная постоянная рассеивае..
На складе
5.00 р.
0
Характеристики: Материал p-n-перехода: Si Структура транзистора: NPN Предельная постоянная рассеива..
На складе
5.00 р.
0
Характеристики: Материал p-n-перехода: Si Структура транзистора: PNP Предельная постоянная рассеивае..
На складе
5.00 р.
0
Характеристики: Материал p-n-перехода: Si Структура транзистора: NPN Предельная постоянная рассеивае..
На складе
5.00 р.
0
Характеристики: Материал p-n-перехода: Si Структура транзистора: NPN Предельная постоянная рассеива..
На складе
5.00 р.
0
Характеристики: Материал p-n-перехода: Si Структура транзистора: NPN Предельная постоянная рассеивае..
На складе
10.00 р.
0
Характеристики: Материал p-n-перехода: Si Структура транзистора: PNP Предельная постоянная рассеивае..
На складе
10.00 р.
0
Характеристики: Материал p-n-перехода: Si Структура транзистора: PNP Предельная постоянная рассеивае..
На складе
10.00 р.
0
Характеристики: Материал p-n-перехода: Si Структура транзистора: NPN Предельная постоянная рассеивае..
На складе
10.00 р.
0
Характеристики: Материал p-n-перехода: Si Структура транзистора: PNP Предельная постоянная рассеивае..
На складе
10.00 р.
0
Характеристики: Материал p-n-перехода: Si Структура транзистора: NPN Предельная постоянная рассеивае..
На складе
10.00 р.
0
SMD аналог транзистора S8050. Характеристики: Материал p-n-перехода: Si Структура транзисто..
На складе
10.00 р.
0
Характеристики: Материал p-n-перехода: Si Структура транзистора: PNP Предельная постоянная рассеивае..
На складе
10.00 р.
Транзисторы

В середине прошлого века электронные лампы уже перестали удовлетворять быстро растущий рынок радиотехники. И на смену им пришли транзисторы. Они значительно меньше по габаритам потребляют меньшее количество электроэнергии. Конечно, самый главный фактор, обусловивший смену двух прототипов - это габариты. Даже микропроцессор в котором находятся миллионы транзисторов во много раз меньше одной электролампы. Принцип действия транзистора основывается на проводимости P-N переходов. Бывают составные, биполярные, полевые с изолированными затворами, плоскостные, тонкопленочные и тд. Транзисторы входят в состав оптронов.